嘿,伙计们！
您可能知道，使用主动技术支持服务的所有客户的个人更新框中都有新版本的 PC-3000 Flash 7.1.1。
在这篇文章中，我们想告诉你更多关于一个新的智能重读模式，它在最近的更新中出现。
注意！ 此功能仅适用于 PC-3000 闪存4.0 和 PC-3000 闪存 3.0（PC-3000 闪存 3.0 需要外部电源控制适配器） )
在继续使用闪存案例之前，必须执行 3 个基本步骤：
- Read NAND 芯片;
- 启动 ECC 校正;
- 重读未由 ECC 修复的坏扇区。
这些步骤是必要的，因为高位错误率可能会对用户数据产生不良影响，使数据无法恢复。详细过程在我们的文章"PC-3000 Flash"中进行了描述。数据更正方法"。你可以在这里找到它们：第1部分，第2部分和第3部分。
上述方法工作奇迹，但有时他们需要太多的行动采取：
- 修复尽可能多的ECC错误;
- 构建未更正扇区地图;
- 使用重读算法（自动验证 + ECC）或 ReadRetry 重读它们;
- 构建新的未更正扇区地图;
- 使用电压控制重读它们（仅适用于 PC-3000 Flash ver 3.0，带扩展电源适配器，带集成电源适配器的 ver 4.0）。
ACE 实验室开发人员添加了一种新的、非常方便的方式自动执行所有这些操作。所有你需要做的就是阅读芯片，使ECC校正和启动数据准备->工具->智能重读模式。以下是您得到的：
- 生成重读地图，深入分析页面;
- 基于以前创建的"重新阅读地图"构建的未更正扇区子映射;
- 最有效的读取重试类型由特殊样本选择;
- 使用相同类型的 ReadRetry 应用子映射的快速读出;
- 自动选择电压电源并评估最有效的电压;
- 快速重新读取未校正页面的剩余子图，并具有恒定最有效的电压;
- 重读未更正页面子映射的剩余区域，并完整列出 ReadRetry 类型;
- 使用全系列电源读取未更正页面的剩余子映射区域。
你唯一应该记住的 - 你目前正在处理的 Nand 芯片应该在阅读器里！
如果有 2 或 4 个部件/物理芯片，则需要对每个芯片分别执行上述操作。PC-3000 闪存将在读取器中与物理 NAND 通信，因此在应用智能重读模式时，请务必检查您使用与在芯片读取过程中相同的 NAND 顺序。
2 个物理芯片，共 2 个部件：
2个物理芯片，共4个部分：
以下是步骤：
- 启动 ECC 自动检测和校正：
如果您按照地图 + ECC = 创建子映射使用 ECC 信息，在 ECC 校正后，您得到大约 259Mb 的损坏扇区。不严重， 但最好还是修复它们：
2. 当 ECC 校正结束时，按数据准备 -> 工具 -> 智能重读模式：
创建具有坏扇区链：
使用 ReadRetry 的地图重新读取坏扇区;
通过未校正扇区地图重新读取电压控制的坏扇区。
3. 最终结果！只有 32kb 的未更正扇区， 而不是 +259MB！干得好，智能重读模式！🙂
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