PC-3000 Flash数据校正方法电压控制

2020年7月15日12:58:44
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在文章数据修正方法的最后部分,我们将讨论电压控制。 在哪种情况下,电压控制可以帮助我们修复错误?
如果用几句话说 – 它只能在最有问题的情况下帮助,即使在ECC校正和读出程序之后,位错误的数量仍然非常高。 基本上,电压控制 – 是一种ReadRetry操作,但是在手动模式下。 相反芯片本身,我们使用软件控制设置自己的电压来读取NAND芯片中的每个页面。
此电压控制选项仅适用于以下PC-3000 Flash设备:

  • PC-3000 Flash读卡器3.0 +电源适配器;
  • PC-3000 Flash阅读器4.0(已集成电源适配器);

PC-3000 Flash数据校正方法电压控制

如果您阅读我们之前关于ECC和读数的文章,您应该记住如何创建受损扇区的地图。 当什么时候使所有可能的错误修复准备,但错误的数量仍然是几百Mb,我们应该尝试使用电压控制。 通常,如果NAND存储器芯片支持读取,我们不应该使用不同的电压 – 理想结果将始终由READ RETRY证明!
但在我们的例子中,我们没有读取当前芯片的重试次数。 这就是为什么让我们尝试检测电压范围,并开始我们的校正程序。
我们修复ECC,读取并构建坏扇区的地图:

PC-3000 Flash数据校正方法电压控制

在这里我们可以看到,在读出期间,不可能使用读取重试命令(此芯片不可用)。 我们选择使用电压自动检测(对不起ReдRуссиanTraнcлaтиon)检测软件发现理想范围 – 从2.000V到3.600V:

PC-3000 Flash数据校正方法电压控制

最后 – 我们的结果!

PC-3000 Flash数据校正方法电压控制

不要忘记最重要的事情:

我们建议仅在ECC和常见READOUT之后使用电压控制!
如果NAND芯片不支持ReadRetry,电压控制将非常有用!
如果芯片支持ReadRetry – 电压控制不会提高最终结果的质量。 (除了某些特殊情况,其中支持读重试但由于某种原因根本不起作用);

 

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